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清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作，通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术，制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心王新强教授与北京大学电子显微镜实验室王涛高级工程师探测到褶皱二维氮化镓（GaN）的声子行为。

11月28日，中国证监会国际合作司发布关于英诺赛科（苏州）科技股份有限公司境外发行上市备案通知书

“氮化镓射频电子器件与应用分会”上，深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO 许明伟做了“FLAB：特色射频半导体的技术创新模式探索”的主题报告，分享了国家5G中高频器件创新中心FLAB三代特色半导体工艺技术创新的新模式，包括硬件建设、软件建设、开发体系、技术路线等。

“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上，香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷，小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃，中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰，西安电子科技大学教授薛军帅，深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO许明伟，苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川，中国科学院半导体研究所副研究员张连，九峰山实验室熊鑫，江南大学集成电路学院博士刘涛，中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告

氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉，本届分会将分为三个场次充分探讨，敬请关注！

纳微半导体今日发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

作为IFWS的重要技术分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉！

作为IFWS的重要分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉，将有来自将有香港科技大学高通光学实验室、高武半导体，小米通讯技术，汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心，中国科学技术大学、云塔电子，能讯高能半导体，中国科学院半导体研究所，九峰山实验室，江南大学，中国科学院微电子研究所的专家们分享精彩主题报告。

德州仪器 (TI)（纳斯达克代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻 ，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的投产，加上德州

远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件，并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试

当地时间9月11日，英飞凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米功率氮化镓（GaN）晶圆技术，并率先在

据报道，7月30日，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司签署合作协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化

2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头起草的团体标准T/CASAS 34202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子

近日，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN（氮化镓）

天眼查显示，大连理工大学氮化镓气体传感器及其制备方法、应用专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117761126A

进入21世纪以来，以氮化镓、碳化硅、氧化镓、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。

深圳大学材料学院刘新科课题组成功在氮化镓单晶衬底上外延了具有p型导电特性的高质量连续的MoxRe1-xS2薄膜，制备了一个完全垂直的p-2D/GaN异质光电二极管。器件具有突出的光开关比（> 106）和极高的光探测率（6.13×1014），实现了紫外到可见、近红外区域的宽光谱检测。